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增强型场效应管（通常称为增强型MOS管或增强型晶体管）和耗尽型场效应管（通常称为耗尽型MOS管或耗尽型晶体管）是场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）的两种主要类型，它们的主要区别在于其导电沟道的形成方式，增强型场效应管的导电沟道需要在有足够正向偏压的情况下才能形成，而耗尽型场效应管的导电沟道即使在零偏压或负偏压的情况下也能形成，关于它们与|id|≠0（即漏极电流不等于零）的必要条件，以下是简要解释：
1、增强型场效应管：对于增强型场效应管来说，要实现`|id|≠0$（即漏极电流不等于零），必须对其施加正向偏压，使其导电沟道形成，这是因为在没有正向偏压的情况下，增强型场效应管的导电沟道不会形成，因此没有电流流通，当施加足够的正向偏压时，导电沟道形成，漏极电流开始流动。
2、耗尽型场效应管：对于耗尽型场效应管来说，即使在零偏压或负偏压的情况下，其导电沟道已经形成，在一定的条件下（如源极和漏极之间存在电压差），即使没有外部偏压，耗尽型场效应管的漏极电流也可能不为零，在这种情况下，`|id|≠0$是可能的，需要注意的是，耗尽型场效应管的漏极电流大小会受到多种因素的影响，包括源极和漏极之间的电压差、外部偏压以及器件本身的特性等。
对于这两种类型的场效应管来说，`|id|≠0$（即漏极电流不等于零）的必要条件主要取决于其导电沟道的形成情况以及源极和漏极之间的电压差等因素，对于增强型场效应管来说，需要施加正向偏压以形成导电沟道；而对于耗尽型场效应管来说，在一定的条件下即使不施加外部偏压也可能实现漏极电流不为零，以上内容仅供参考，如需更准确全面的信息，可查阅相关书籍或咨询专业技术人员。